9zip.ru Радиотехника, электроника и схемы своими руками Транзисторы с низким напряжением насыщения

Иногда при проектировнии различных устройств возникает необходимость в транзисторах с малым напряжением насыщения. Зарубежные производители предлагают достаточное количество таких транзисторов, но достать их порой бывает проблематично.

Существуют и отечественные транзисторы данного класса. Правда, найти их также непросто.


КТ660Б, транзистор структуры n-p-n. Его прототипом являеются зарубежные BC337 и BC338. Параметры:

Напряжение: 25В
h21э: 200-450
Напряжение насыщение коллектор-эмиттер при Iк=500ma, Iб=50ма: 0,5В
Напряжение насыщение коллектор-эмиттер при Iк=10ma, Iб=50ма: 0,035В
Ток коллектора: 800мА (1000мА имп)

КТ645Б, транзистор структуры n-p-n, зарубежные прототипы - BC547, BC238.

Напряжение: 30В
h21э: 80-200
Напряжение насыщение коллектор-эмиттер при Iк=150ma, Iб=15ма: 0,5В
Напряжение насыщение коллектор-эмиттер при Iк=10ma, Iб=1ма: 0,05В
Ток коллектора: 300мА (600мА имп)

КТ529 (p-n-p) и КТ530 (n-p-n) - комплементарная пара транзисторов со сверхмалым прямым падением напряжения.

Напряжение: 40В
Iк макс: 1000мА
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Iк=300мА, Iб=10мА): 0,2В
h21э: 180
Макс.мощность: 0,5Вт

И несколько зарубежных транзисторов.


2SD880 - низкочастотный кремниевый транзистор структуры n-p-n, комплементарен к B834.

Напряжение: 60В
Ток: 3А
Мощность: 30Вт
Напряжение насыщения: 0.4-1В
f=3МГц

2SD882 - транзистор структуры n-p-n, предназначенный для выходного каскада 3-ваттного УНЧ, регуляторов напряжения, преобразователей напряжения, управления электромагнитным реле.

Напряжение: 30В
Ток: 3А (7А имп)
h21э: 60-400
Напряжение насыщения: не более 0.5В
f: 90МГц

Понравилась статья? Менделеев говорит: поделись с друзьями!